导航菜单

中美研发半导体新材料 日媒感叹日本存在感低

原标题:关注中美新半导体材料研发的日本媒体哀叹日本低存在感

参考新闻网11月29日报道,碳纳米管的研究旨在取代硅半导体。这一领域的研究主要由中国和美国的大学和初创企业推动,而碳纳米管被发现的国家日本的存在感正在下降。

根据2010年11月28日的一份报告,直径约为1纳米的碳纳米管被发现重量轻、坚固坚韧,并且在导电性等方面也具有有趣的性质。1991年,日本美州大学终身教授三郎在为日本电气公司工作时发现 与球形富勒烯和片状石墨烯一起,它在2000年左右成为流行纳米技术领域的代表性材料。

据了解,在纳米技术研究领域,碳纳米管是一种非常独特的材料,其直径仅为人类头发的5万倍。它们能导热导电,硬度是钢的50倍。 在存储领域,碳纳米管由于其非易失性而被用作存储芯片,即使断电,存储在其上的信息也不会被擦除。 除了读写速度比普通闪存快1000倍之外,还可以提供功耗更低、可靠性和耐用性更高、生产成本更低的存储器。

根据该报告,根据碳原子的不同连接方式,碳纳米管可以分为两种类型:易于导电的金属型和与硅具有相同性质的半导体型。 将它用作电子元件的研究一度相对活跃,但由于不能顺利地将金属类型与半导体类型分开,因此没有取得明显进展。

2016年,富士通的半导体子公司富士通半导体与总部位于美国的南特罗公司达成协议。双方都致力于碳纳米管存储器的开发和生产。

据报道,美国南特罗拥有自己的碳纳米管精密制造技术,公司计划到2020年生产2MB-16MB的测试产品。 该产品与当前主流闪存竞争。据报道,其功耗不到四分之一,可用于各种信息终端设备。

富士通半导体的统括部副部长斋藤良藤希望“成为物联网时代的一个存储元素,在这个时代,所有产品都连接到互联网上。”

报告称麻省理工学院在8月份集成了多根碳纳米管,并开发出一种电路,成为中央处理器的核心部分 它还驱动简单的程序

名古屋大学熟悉碳材料的教授伊达健一郎(Ichiro Idanjian)评论说,“这是一项划时代的成就,展示了一个理论上可行的创造性想法。” 它补充说,如果将来能够按照需要合成所需的碳纳米管,“还会有进一步的发展。”

在中国,北京大学和清华大学也在开发使用碳纳米管的计算元件

报告指出,碳纳米管在日本的应用有望成为锂离子电池电极材料,在材料领域相对活跃。 然而,随着日本国内半导体制造商的衰落,电子领域的应用研究处于低迷状态。 日本工业技术研究所名誉研究员唐村寿雄(tangcun Shouxiong)表示,“即使大学里有优秀的研究,也没有企业去应用,国家的支持是不够的。” 必须磨练强有力的技能,以免输给海外企业。"